上海超硅半导体获“高精度液口距测量方法”专利,或提升单晶硅棒品质 2024年申请!上海超硅半导体高精度液口距测量专利曝光

上海超硅半导体股份有限公司申请的“一种高精度的液口距测量方法”专利相关信息,包括专利的申请情况、具体测量方法,还介绍了该公司的基本情况。

金融界于2025年4月1日发布消息,从国家知识产权局的信息中可知,上海超硅半导体股份有限公司申请了一项名为“一种高精度的液口距测量方法”的专利。其公开号为CN 119737865 A,申请日期是2024年12月。

从专利摘要里能够了解到,这项发明所提供的高精度液口距测量方法包含以下步骤:首先,要固定好视觉检测件的位置,让视觉检测件可以获取单晶炉中导流筒下沿的特征点在硅熔液表面上倒影特征点P1 的图像。接着,固定一个参考液口距值,此时倒影特征点P1对应的像素坐标值为Y1。之后,让坩埚进行上下位移,并且每次位移的距离为Δ mm,这样就能得到特征点P1'对应的像素值Y1'=F( Δ mm)的近线型散点函数关系。基于这个近线型散点函数关系得出斜率K值,进而计算出液口距的变化值Δ Gap,最后计算得到测量液口距,计算公式为:测量液口距=Δ Gap + 参考液口距值。基于该方法,在进行固定液口距值下测量实验时,能够实现平均误差在0.5mm内的液口距测量精度,以此来控制单晶硅棒的品质。

依据天眼查资料,上海超硅半导体股份有限公司成立于2008年,地处上海市,是一家主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业的企业。该企业注册资本为117640.3602万人民币,实缴资本3035万人民币。通过天眼查大数据分析发现,上海超硅半导体股份有限公司一共对外投资了7家企业,参与招投标项目22次。在财产线索方面,有商标信息11条,专利信息219条,除此之外,企业还拥有行政许可192个。

本文介绍了上海超硅半导体股份有限公司申请的“一种高精度的液口距测量方法”专利,阐述了该专利的测量步骤及优势,能实现高精度液口距测量以控制单晶硅棒品质,同时还介绍了公司的基本情况和业务相关数据。

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