光芯片技术公司HieFo瀚孚光电推出多款全新高效率连续波（CW）DFB磷化铟（InP）激光器，详细阐述了其无温控O波段CW激光器系列产品的特性，以及通过创新达成的新性能水平和适用场景。
在光芯片技术领域，HieFo瀚孚光电近期有了新动作。该公司推出了多款全新的高效率连续波（CW）DFB磷化铟（InP）激光器。这一举措的背后，是市场对硅光收发器需求的日益增长，HieFo瀚孚光电希望通过这些新产品来满足市场的这一迫切需求。
其推出的无温控O波段CW激光器系列产品，具有显著的优势。在-5°C至75°C的工作温度范围内，它支持CWDM4波长方案。更为出色的是，在这样的工作温度区间内，它能够保持最低70mW的光输出功率。这一优异性能的实现，得益于其采用的无铝的有源量子阱结构。这一创新结构，为光收发器行业在高温、非密封封装应用中树立了可靠性与性能的新标杆。
该产品呈现出典型远场图样（15° x 18°） ，这一特性也从侧面反映了其在光学性能方面的独特之处。
HieFo瀚孚光电并未止步于此，而是继续在技术创新的道路上前行。公司通过对先前发布的HCL30 CW DFB激光器芯片进行创新，达到了新的性能水平。在这一过程中，利用了近期提交的12项专利技术。经过创新后的1毫米腔长激光器芯片，可实现超过200mW的典型光输出功率，同时光谱线宽低于300kHz。并且在宽功率范围内，能够实现30%以上的电光转换效率（WPE）。
此外，HieFo瀚孚光电还可提供该激光器设计的定制O波段波长版本。这些定制版本适用于从数据中心到无源光网络（PON）架构等各种相干应用，为不同领域的用户提供了更为灵活和多样化的选择。
HieFo瀚孚光电推出多款全新高效率连续波DFB磷化铟激光器，其无温控O波段CW激光器系列产品凭借无铝有源量子阱结构展现出优异性能，通过芯片创新达到新的性能水平，还能提供定制版本适用于多种相干应用，为光收发器行业带来了新的发展动力。
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