北京智芯微新专利：助力半导体技术新突破 智芯微专利创新：为半导体产业发展添砖加瓦

本文聚焦于北京智芯微电子科技有限公司申请的一项“层间介质膜形成方法、半导体结构和芯片”专利，介绍了专利的基本信息、主要内容，以及该公司的相关背景情况。

据金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局披露的信息表明，北京智芯微电子科技有限公司申请了一项极具价值的专利。该专利名为“层间介质膜形成方法、半导体结构和芯片”，其公开号为CN 119743992 A，申请日期追溯到2024年12月。

从专利摘要中我们可以了解到，此发明聚焦于半导体技术领域，提供了一种独特的层间介质膜形成方法、半导体结构和芯片。其具体的制作方法有着严谨的步骤：

首先，在形成多个栅极结构之后，会分别在每一栅极结构两侧形成初始侧墙结构。这里需要注意的是，栅极结构呈台阶状突出于衬底上表面，而初始侧墙结构是由上至下相同厚度的构型。

接着，对初始侧墙结构进行多次刻蚀，从而形成上端窄下端宽构型的侧墙结构。其中，多次刻蚀包括干法刻蚀和湿法刻蚀这两种方式。

最后，在衬底、栅极结构和侧墙结构表面形成层间介质膜。通过这样一系列的操作，该发明能够增大相邻两个栅极结构侧墙的间距，有效减少高密度等离子体层间介质层工艺在填充过程产生的孔洞。这对于保证接触孔刻蚀、接触孔侧壁阻挡层的填充以及钨的填充都有着重要意义，进而能够提高静态随机存取存储器良率。

再来看看北京智芯微电子科技有限公司的相关情况。根据天眼查资料显示，该公司成立于2013年，位于北京市，主要从事科技推广和应用服务业。企业注册资本达到641018.943287万人民币，并且实缴资本同样为641018.943287万人民币。通过天眼查大数据分析可知，北京智芯微电子科技有限公司有着丰富的商业活动，共对外投资了10家企业，参与招投标项目多达3533次。在财产线索方面，有商标信息126条，专利信息2797条，此外企业还拥有行政许可8个。

北京智芯微电子科技有限公司申请的“层间介质膜形成方法、半导体结构和芯片”专利的相关信息，包括专利申请情况、制作方法及优势，同时也介绍了该公司的基本情况。该专利在半导体技术领域具有重要意义，有望提升静态随机存取存储器良率，而公司在商业活动和知识产权方面也有着不错的表现。